Se fabricaron, vía electroquímica, películas de Hg 1-x Cd x Se sobre sustrato semiconductor de GaSb empleando un pulso de potencial constante de -0.6 V vs (Ag/AgCl/3M KCl) en solución acuosa (CdSO 4 , SeO 2 y Hg 2 Cl 2 ) a pH 2.3. Se estudiaron los procesos de reducción de H 2 SeO 3 y Cd 2+ asociados a la electrosíntesis de la aleación de Hg 1-x Cd x Se, donde se estableció inicialmente la deposición del selenio, seguido de la codeposición del el Cd 2+ y Hg 2+ formando la película. El transitorio de corriente determinó que la transferencia de masa está controlado por difusión. Las películas obtenidas se caracterizaron por las técnicas de XRD, FESEM, espectroscopia de fotoemisión de rayos X (XPS), fotoluminiscencia y espectroscopia Raman. Con la caracterización se confirmó la formación de una fase cristalina tipo blenda de zinc y la presencia de varias fases siendo las más importantes Hg 1-x Cd x Se, y CdSe.